1 項目背景
在中美貿易戰摩擦加劇的背景下，對於半導（dǎo）體材料自主控製權的爭奪已經愈演愈烈。尤其是近幾 年我國新建（jiàn）產能（néng）成為全球晶圓廠的主要增量，但是製（zhì）約半導體產業（yè）做強的上遊關鍵原材料（liào）和生產設備 仍然幾乎（hū）被美國和日（rì）本的公司所壟斷，如今西（xī）方多家對中國科技尤其（qí）是芯片產業的進一（yī）步封鎖，對於 我國半導體行業發展的打擊幾乎是一劍封喉，因此半導體材料（liào）國產化戰略地位凸顯，在材料領（lǐng）域進口 替代進程加速是大勢所趨。
2 產品說明
CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋光是一個化學腐蝕和機（jī）械摩擦的結合。是目前最 為普遍的半導體材料表麵平（píng）整技術，兼收了機（jī）械摩擦（cā）和化學腐（fǔ）蝕的優點（diǎn），從而（ér）避免了由單純（chún）機械拋光 造成的表麵（miàn）損傷和由單純化學拋光易造成的拋光速度慢、表麵平整度和拋光一致性差等缺點。可以獲 得比較完（wán）美的（de）晶片表麵（miàn）。
國際（jì）上（shàng）普遍認為，器件特征尺寸在0.35μm以下時，必須進行全局平麵化以（yǐ）保證光刻影像傳遞的（de）精（jīng） 確度和分辨率，而CMP是目前幾（jǐ）乎唯一的可以提供全局平麵化的技術。其設備（bèi）作用原理圖如下：
研磨液：研磨時添加的液（yè）體狀物質，顆粒大小跟研磨後的刮傷等缺陷有關，顆粒越（yuè）大對晶片的損 傷越大，顆粒越小越好。基本形式是（shì）由納米粉（fěn）體拋光劑（jì）和一個堿性組分水溶（róng）液組成，顆粒的大小1-
100nm，濃度1.5%-50%，堿性組成一般是KOH，氨或有機（jī）胺，pH為9.5-11。
由於氣相二氧化（huà）矽的高純（chún）度、可（kě）控（kòng）製的原始納米粒徑和粒徑分布（bù）等，使得氣相（xiàng）sio2成為氧化物拋 光研磨液中的主要磨料。
3 項目原料：
金屬矽粉、鹽（yán）酸、氫氣。 年產1000噸納米氣相鈦白粉項目 年產20000噸特種紙專用輕質碳酸鈣項 目年產1000噸BIPB（無（wú）味DCP）項目 持續研發
4、項目配套（tào）：
化工產業園（yuán）區（qū）、蒸汽、電力、工業水。
5、技術優勢
專利：一種氣相法生產二氧化矽及金屬氧化物的設備
專利：一種生（shēng）產高純三氯氫矽和四氯化矽的裝置及工藝
6、項（xiàng）目（mù）總投資1.5億元。
7、項目占地：30畝
8、經濟效益
