CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋光是一個化學腐蝕和機械摩擦（cā）的結合。是目前較為普遍（biàn）的（de）半導（dǎo）體材料表麵平整技術，兼收了機械摩擦和化學腐蝕的優點，從而避免了由單純機械拋光造成（chéng）的表麵損傷和由單純化（huà）學拋光（guāng）易造成的拋光速度慢、表麵平整度（dù）和拋（pāo）光一致性差等缺點。可以獲得比較完美的（de）晶片表麵。
國際上普遍認為，器件特（tè）征尺寸在0.35μm以下時，必須進行全局平麵化以保（bǎo）證光刻影像傳遞的精確度和分辨（biàn）率，而（ér）CMP是目前（qián）可以提供全局平（píng）麵化的技（jì）術。其設備作用原理（lǐ）圖（tú）如下（xià）：
研磨液：研磨時添加（jiā）的液體狀物質，顆粒大小跟研磨後的刮傷（shāng）等缺陷有（yǒu）關，顆粒越大對晶片的損傷越大，顆粒越小越（yuè）好。基本形式是由納米粉體拋光劑和（hé）一個堿（jiǎn）性組分水溶液組成，顆粒的大小1-100nm，濃度1.5%-50%，堿性組成一般是KOH，氨或有機胺，pH為9.5-11。
由於氣相二氧化矽的高（gāo）純度、可控製的原始納米粒徑和（hé）粒徑分布等（děng），使得氣相sio2成為氧（yǎng）化物拋光研磨液中（zhōng）的主要磨料。
本（běn）項目經（jīng）過專有工藝生產的CMP氣矽對打破國外品（pǐn）牌對研磨液用氣矽的壟斷地位，對中國芯片全產業鏈的發展貢獻，具有十分重要意義。
